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【判断题】【消耗次数：1】
两个相邻时期的定基发展速度之商等于相应的环比发展速度。
① 正确
② 错误
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相关题目
【多选题】 定基发展速度和环比发展速度的关系是( )。 度。
①  两者都属于速度指标
②  环比发展速度的连乘积等于定基发展速度
③  定基发展速度的连乘积等于环比发展速度
④  相邻两个定基发展速度之商等于相应的环比发展速度
⑤  相邻两个环比发展速度之商等于相应的定基发展速
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【多选题】 定基发展速度与环比发展速度的数量关系是
①  定基发展速度等于相应的环比发展速度的连乘积
②  两个相邻的定基发展速度之比等于相应的环比发展速度
③  定基发展速度与环比发展速度的基期一致
④  定基发展速度等于相应的环比发展速度之和
⑤  定基发展速度等于相应的环比发展速度之差
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【判断题】 定基发展速度等于相应时期内各个环比发展速度的连乘积。
①  正确
②  错误
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【单选题】 环比发展速度与定基发展速度之间的关系是？
①  定基发展速度等于环比发展速度之和
②  环比发展速度等于定基发展速度的平方根
③  环比发展速度的连乘积等于定基发展速度
④  环比发展速度等于定基发展速度减1
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【判断题】 定基发展速度等于相应各个环比发展速度的连乘积,所以定基增长速度也等于相应各个环比增长速度乘积。
①  正确
②  错误
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【单选题】 定基发展速度等于（）
①  环比发展速度之和
②  环比发展速度之积
③  环比增长速度之和
④  环比增长速度之积
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【判断题】 环比发展速度的连乘积等于定基发展速度，因此环比增长速度的连乘积也等于定基增长速度
①  正确
②  错误
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【判断题】 时间数列中，各个环比发展速度的连乘积不等于总的定基发展速度。
①  正确
②  错误
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【判断题】 定基发展速度反映了现象在一定时期内发展的总速度，环比发展速度反映了现象比前一期的增长程度。
①  正确
②  错误
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【多选题】 已知各时期环比发展速度和时期数,就可计算( )。
①  平均发展速度
②  平均发展水平
③  定基发展速度
④  逐期增长量
⑤  累计增长量
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随机题目
【单选题】 下列哪个指标反应了物体压缩的难以程度（）
①  A剪切模量
②  B弹性模量
③  C泊松比
④  D体积模量
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【单选题】 下列结构常用于气体压强测量的是（）。
①  A.平膜结构
②  B.悬臂梁结构
③  C.杠杆结构
④  D.V型梁结构
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【单选题】 半导体电阻式传感器工作时 最易受到的干扰为（）。
①  A.附件电阻
②  B.附加电容
③  C.环境温度
④  D.环境湿度
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【单选题】 设计变间隙电容传感器时，为保证传感器测试线性度，应满足的条件是（）。
①  A.电容极板间隙d0>1mm
②  B.电容极板间隙d0<1mm
③  C.电容极板间隙变化量d0/ d0>>1
④  D.电容极板间隙变化量d0/ d0<<1
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【单选题】 加速度传感器是一种（）。
①  A.物理传感器
②  B.化学传感器
③  C.生物传感器
④  D.量子传感器
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【单选题】 热对流式加速度传感器的转换元件采用的是（）。
①  A.湿度传感器
②  B.气压传感器
③  C.温度传感器
④  D.接触力传感器
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【单选题】 压阻式压力传感器最常用的敏感元件是（）。
①  A.悬臂梁结构
②  B.梳齿结构
③  C.杠杆结构
④  D.平膜结构
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【单选题】 1纳米是（）。
①  A.10的负9次方米
②  B.10的负10次方米
③  C.10的负11次方米
④  D.10的负12次方米
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【单选题】 微机电系统器件结构的特征尺寸在（）。
①  A.nm级
②  B.mm级
③  C.μm级
④  D.cm级
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【单选题】 微机电系统的英文缩写为（）。
①  A.MSME
②  B.MEMS
③  C.NEMS
④  D.SEME
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