【判断题】【消耗次数:1】
制造半导体器件时,最常用半导体材料硅和锗等。
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相关题目
【单选题】 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,最常用的半导体材料是硅和铁。
① 
② 
【判断题】 半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间,硅和锗是最重要的两种半导体材料。
①  正确
②  错误
【判断题】 当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个PN结,这是制造半导体器件的基础。
①  正确
②  错误
【判断题】 半导体应变片主要基于半导体材料的压阻效应来工作。
①  正确
②  错误
【单选题】 具有自关断能力的电力半导体器件称为(     )
①  全控型器件
②  半控型器件
③  不控型器件
④  触发型器件
【单选题】 P型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。
①  空穴
②  三价元素
③  五价元素
【单选题】 N型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。
①  空穴
②  三价元素
③  五价元素
【单选题】 下列半导体器件中属于电压控制型器件的是( )
①  GTR
②  MOSFET
③  GTO
④  SCR
【判断题】 P型半导体带正电,N型半导体带负电。
①  正确
②  错误
【单选题】 根据本课程,通过半导体器件独立控制每个最小显示单元的显示器件是()。
①  显示器件
②  新型显示器件
③  电真空显示器件
④  半导体显示器件
随机题目
【多选题】 静载荷试验中,极限荷载确定依据:()。
①  取破坏荷载的前一级荷载;
②  P-S曲线上明显拐点处所对应的荷载;
③  S-lgt曲线线形由直线变为折线时所对应的前一级荷载;
④  时间—位移梯度曲线上第二直线段末端的点;
【单选题】 计算桩基沉降时,荷载应采用()。
①  基本组合;
②  基本组合和地震作用效应组合;
③  长期效应组合;
④  标准组合和地震作用效应组合;
【单选题】 计算地基变形时,施加于地基表面的压力应采用:()。
①  基底压力;
②  基底反力;
③  基底附加压力;
④  基底净压力
【多选题】 对于饱和软粘土适用的处理方法有:()。
①  表层压实法;
②  强夯;
③  降水预压;
④  堆载预压;
【单选题】 下列方法可用于对单桩竖向承载力进行判定的是()。
①  钻芯法;
②  低应变试桩法;
③  高应变试桩法;
④  以上都不对;
【多选题】 双壁钢围堰采用中空井壁是因为()。
①  提供的浮力可使围堰在水中自浮,使双壁钢围堰在漂浮状态下分层接高下沉;
②  节约钢材;
③  利用向井壁内的密封隔舱不等高灌水来控制双壁围堰下沉及调整下沉时的倾斜;
④  便于施工;
【单选题】 《公路桥涵地基基础设计规范》(JTGD63-2007)规定:采用换填法处理地基时,其垫层厚度不宜大于多少?
①  2.0m;
②  3.0m;
③  4.0m;
④  5.0m
【多选题】 钻孔过程中应注意:()。
①  始终保持钻孔护筒内水位要高出筒外1~1.5m的水位差和护壁泥浆达到要求;
②  根据土质等情况控制钻进速度、调整泥浆稠度;
③  钻孔宜一气呵成,不宜中途停钻;
④  加强对桩位、成孔情况的检查工作。终孔时应对桩位、孔径、形状、深度、倾斜度及孔底土质等情况进检验,合格后立即清孔、吊放钢筋笼,灌注混凝土;
【多选题】 对于端承型群桩基础,下列说法正确的是()。
①  不必考虑群桩效应,各基桩的工作性状接近于相同地质条件下的单桩;
②  群桩基础的承载能力小于各基桩承载能力之和;
③  群桩基础的沉降等于相同地质条件和设置方法下单桩的沉降;
④  群桩基础的群桩基础的沉降大于相同地质条件和设置方法下单桩的沉降
【单选题】 下列不是单桩的破坏模式的为()。
①  屈曲破坏;
②  滑移破坏;
③  整体剪切破坏;
④  刺入破坏