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【判断题】【消耗次数:1】
结型场效应管利用栅源极间所加的反向电压来改变导电沟道宽度。()
①
正确
②
错误
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相关题目
【判断题】
场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流。
①
正确
②
错误
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【判断题】
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其大的特点。()
①
正确
②
错误
查看完整题目与答案
【判断题】
对于耗尽型MOS管,当栅源电压等于零时,有导电沟道存在。
①
正确
②
错误
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【判断题】
对于增强型MOS管,当栅源电压等于零时,无导电沟道存在。
①
正确
②
错误
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【判断题】
场效应管是一种电压控制型器件。
①
正确
②
错误
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【判断题】
场效应管是单极型器件,参与导电的只有一种载流子。
①
正确
②
错误
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【判断题】
场效应管的漏极电流ID= gmugs。
①
正确
②
错误
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【判断题】
场效应管是电压控制器件。
①
正确
②
错误
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【判断题】
场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大。
①
正确
②
错误
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【判断题】
场效应管同双极型三极管相比,其热稳定性好。
①
正确
②
错误
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随机题目
【单选题】
int a=1;printf(a=%d\n”,a);关于这段代码描述不正确的是()。
①
printf()是C的标准输出函数
②
printf()的作用是输出一个字符串,或者按指定格式和数据类型输出若干变量的值
③
%d:表示按二进制整型格式输出变量的值
④
\n表示输出一个换行,即将光标移到下一行的起始位置
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【单选题】
C语言是一种()的语言,同时具有高级语言和汇编语言的优点。
①
面向过程
②
面向对象
③
面向事物
④
面向机器
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【单选题】
对于以下结构定义:struct{intlen;char*str;}*p;p->str++中的++加在()
①
指针str上
②
指针p上
③
str所指的内容上
④
以上均不是
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【单选题】
若已定义int x=-16,y=-12,z;语句z=x<=y;运行后z的值为()。
①
t
②
1
③
f
④
0
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【单选题】
以下程序的输出结果是() int a, b; void fun( ) { a=100; b=200; } main( ) { int a=100, b=100; fun( ); printf(%d%d \n, a,b); }
①
100200
②
100100
③
200100
④
200200
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【单选题】
C语言程序中可以对程序进行注释,注释部分必须用符号()括起来。
①
{和}
②
[和]
③
/*和*/
④
*/和/*
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【单选题】
已知大写字母A的ASCII码值是65,小写字母a的ASCII码是97,则用 八进制表示的字符常量’\101’是().
①
字符A
②
字符a
③
字符e
④
非法的常量
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【单选题】
在C语言中,非法的八进制是:()
①
016
②
018
③
017
④
02
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【单选题】
有以下的定义语句:structstudent{intnum;charname[9];};则不能正确定义结构数组并赋初始值的是()。
①
structstudentstu[2]={1,zhangsan,2,lisi};
②
structstudentstu[2]={{1,zhangsan},{2,lisi}};
③
structstu[2]={{1,zhangsan},{2,lisi}};
④
structstudentstu[]={{1,zhangsan},{2,lisi}};
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【单选题】
若有说明语句:charc=’9’,sp1,sp2;,以下均正确的一组赋值语句是()
①
sp1=c;sp2=sp1
②
sp1=c;sp2=sp1
③
sp1=c;sp2=*sp1
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