【单选题】【消耗次数：1】
CMOS电路的电源电压范围较大，约在（ ）。
①
－5V~＋5V
②
3~18V
③
5~15V
④
＋5V
参考答案：
复制
纠错
相关题目
【单选题】
已知有向图G=(V,E)，其中V={V1,V2,V3,V4,V5,V6,V7}，E={V1,V2V1,V3V1,V4V2,V5V3,V5V3,V6V4,V6V5,V7V6,V7}，G的拓扑序列是（ ）。
①
V1,V3,V4,V6,V2,V5,V7
②
V1,V3,V2,V6,V4,V5,V7
③
V1,V3,V4,V5,V2,V6,V7
④
V1,V2,V5,V3,V4,V6,V7
【单选题】
设有向图D1 = áV3, E3?, 其中 V3 = {v1, v2, v3, v4, v5}, E3 = {áv1, v2?, áv2, v3?, áv3, v2?, áv4, v5?, áv5, v1?}，则v2的闭邻域 N(v2)为：
①
{v1, v2, v3}；
②
{v1, v3}；
③
{v1, v2, v3, v4, v5}；
④
{v2}。
【单选题】
设有向图D = áV, E?, 其中 V={v1, v2, v3, v4, v5}, E={áv4, v1?, áv1, v1?,áv1, v2?,áv1, v3?, áv3, v1?, áv5, v3?}，则v1的邻域 N(v1) =
①
{v3, v4}；
②
{v2, v3,v4}；
③
{v1, v2, v3, v4}；
④
{v2,v3}。
【单选题】
设有向图D = áV, E?, 其中 V={v1, v2, v3, v4, v5}, E={áv4, v1?, áv1, v1?,áv1, v2?,áv1, v3?, áv3, v1?, áv5, v3?}，则v1的闭邻域 N(v1) =
①
{v3, v4}；
②
{v2, v3,v4}；
③
{v1, v2, v3, v4}；
④
{v2,v3}。
【单选题】
设有向图D = áV, E?, 其中 V={v1, v2, v3, v4, v5}, E={áv4, v1?, áv1, v1?,áv1, v2?,áv1, v3?, áv3, v1?, áv5, v3?}，则v1的先驱元集G -(v1) =
①
{v3, v4}；
②
{v1, v3,v4}；
③
{v1, v2, v3, v4}；
④
{v2,v3}。
【单选题】
设有向图D = áV, E?, 其中 V={v1, v2, v3, v4, v5}, E={áv4, v1?, áv1, v1?,áv1, v2?,áv1, v3?, áv3, v1?, áv5, v3?}，则v1的后继元集G +(v1) =
①
{v3, v4}；
②
{v1, v3,v4}；
③
{v1, v2, v3, v4}；
④
{v2,v3}。
【单选题】
设无向图G1 = áV1, E1?, 其中, V1 = {v1, v2, v3, v4, v5}, E1 = {(v1, v2), (v2, v3), (v3, v4), (v3, v3), (v4, v5)}，则v2的邻域 N(v2)为：
①
{v1, v2, v3}；
②
{v1, v3}；
③
{v1, v2, v3, v4, v5}；
④
{v2}。
【单选题】
某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（ ）。
①
5v和-5v
②
-5v和+4v
③
+0.7v和-4v
随机题目
【单选题】
对于开环频率特性曲线与闭环系统性能之间的关系，以下叙述中正确的是（）
①
开环频率特性的中频段表征了闭环系统的稳态特性
②
开环频率特性的中频段表征了闭环系统的动态特性
③
开环频率特性的中频段表征了闭环系统的抗干扰能力
④
开环频率特性的中频段表征了闭环系统的增益大小
【单选题】
(b)两图代表平面汇交力系的两个力多边形，其中哪一个图代表平衡力系，哪一个图中的哪一个力代表合力，有以下四种说法，正确的应是（）。
①
图（a）的F4为合力，图（b）为平衡力系
②
图（a）、图（b）都是平衡力系
③
图（a）、图（b）都不是平衡力系
④
图（a）是平衡力系，图（b）的F4是合力
【单选题】
过受力构件内任一点，随着所取截面的方位不同，一般来说，各个面上的（）。
①
正应力相同，剪应力不同
②
正应力不同，剪应力相同
③
正应力和剪应力均相同
④
正应力和剪应力均不同