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【多选题】【消耗次数：1】
第三代半导体材料以（）为代表，具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。。
① 砷化镓
② 氮化镓
③ 氧化锌
④ 碳化硅
⑤ 金刚石
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