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第三代半导体材料以（）为代表，具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。。
①
砷化镓
②
氮化镓
③
氧化锌
④
碳化硅
⑤
金刚石
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