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【判断题】
PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区，它阻止多子扩散，起到了限制电流通过的作用。

① 正确
② 错误
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【单选题】
（ ）是切削过程中工件材料经历过刀具的作用而形成的，是加工过程中产生的废物。

① 切屑
② 积屑
③ 切角
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【单选题】
细胞膜内外正常Na+和K+浓度差的形成和维持是由于

① 膜在安静时对K+通透性大
② 膜在安静时对Na+通透性大
③ Na+、K+易化扩散的结果
④ 膜上Na+-K+泵的作用
⑤ 膜兴奋时对Na+通透性增加
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【判断题】
N型半导体中电子是少数载流子。（）

① 正确
② 错误
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【判断题】
P型半导体中电子是多数载流子。（）

① 正确
② 错误
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【判断题】
硅光电池是在一块N型（或P）硅片上，用扩散的方法掺入一些P型（或N）杂质，而形成一个大面积的PN结。

① 正确
② 错误
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【判断题】
P型半导体中空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。

① 正确
② 错误
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【判断题】
三极管的发射区面积大，杂质浓度高，多数载流子数量多。

① 正确
② 错误
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【判断题】
N型半导体中的多数载流子是自由电子。

① 正确
② 错误
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【判断题】
PN结反向偏置时，外加电压形成的外电场的方向和PN结内电场方向相反，相当于削弱了内电场。

① 正确
② 错误
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