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【单选题】
N半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体

空穴
三价元素
五价元素
【判断题】
半导体中的空穴是带正电的离子。

正确
错误
【多选题】
随着半导体技术的发展,电子器件的发展方向()。

A.小型化
B.薄
C.轻型化
D.无规化
【单选题】
在热平衡时,也就是在给定温度下,没与任何外加刺激,流经p-n结的电子空穴净值()。

A.多数载流子
B.少数载流子
C.零
D.电荷
【多选题】
半导体发展的趋势()。

A.纳米电子
B.能带工程
C.宽禁带
D.无机向有机材料转变
【判断题】
当把P半导体和N半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个PN结,这是制造半导体器件的基础。

正确
错误
【单选题】
N半导体在温度升高时,下列说法中正确的有。

空穴数增加,自由电子数减少
空穴数减少,自由电子数增加
空穴数和自由电子数都增加
空穴数和自由电子数都减少
【判断题】
在本征半导体中加入五价元素可形成N半导体

正确
错误
【判断题】
场效应管是单极器件,参与导电的只有一种载流子

正确
错误
【判断题】
在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于载流子的浓度差而产生的。

正确
错误